Твердотельный накопитель SSD Crucial 2TB M.2 2280 440 TBW 3D NAND PCI-E 4.0 x4

В наличии:

59 в наличии

Склад отгрузки: Склад 2


30 811,92 ₽ c НДС

59 в наличии

Сравнить

Характеристики

Бренд

Склад

Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4

Интерфейс

PCI-E

Модель

CT2000P3PSSD8

Назначение

для ноутбуков/компьютеров

Номинальный объем, ГБ

2000.0

Поддержка NVMe

Да

Серия продукции

P3 Plus

Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

680.0

Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

850.0

Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.

1500

Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ

440.0

Максимальная скорость чтения, МБ/с

5000.0

Тип

Внутренний твердотельный накопитель

Тип памяти

3D NAND

Форм-фактор накопителя

M.2 2280

Вес, г

37.0

Высота, мм

22.0

Комплект поставки

Накопитель, документация

Температура эксплуатации

0…+70C

Тип комплектации

RTL

Толщина, мм

2.0

Максимальная скорость записи, МБ/с

4200.0

Тип устройства

Внутренний твердотельный накопитель

Форм-фактор

M.2 2280

Интерфейс

PCI-e

Ёмкость накопителя, ГБ

2000

Чтение, МБ/с

5000

Запись, МБ/с

4200

Ресурс TBW, ТБ

440

Тип NAND

3D NAND

ТипВнутренний твердотельный накопитель
Серия продукцииP3 Plus
МодельCT2000P3PSSD8
Назначениедля ноутбуков/компьютеров
Форм-фактор накопителяM.2 2280
Номинальный объем, ГБ2000.0
Тип памяти3D NAND
Максимальная скорость чтения, МБ/с5000.0
Максимальная скорость записи, МБ/с4200.0
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS680.0
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS850.0
ИнтерфейсPCI-E
Версия PCI-EPCIe 4.0 x4
Поддержка NVMeДа
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.1500
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ440.0
Температура эксплуатации0...+70C
Высота, мм22.0
Толщина, мм2.0
Вес, г37.0
Тип комплектацииRTL
Комплект поставкиНакопитель, документация
Бренд

Склад

Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4

Интерфейс

PCI-E

Модель

CT2000P3PSSD8

Назначение

для ноутбуков/компьютеров

Номинальный объем, ГБ

2000.0

Поддержка NVMe

Да

Серия продукции

P3 Plus

Тип

Внутренний твердотельный накопитель

Тип памяти

3D NAND

Форм-фактор накопителя

M.2 2280

Вес, г

37.0

Высота, мм

22.0

Комплект поставки

Накопитель, документация

Температура эксплуатации

0…+70C

Тип комплектации

RTL

Толщина, мм

2.0

Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

680.0

Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

850.0

Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.

1500

Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ

440.0

Максимальная скорость чтения, МБ/с

5000.0

Максимальная скорость записи, МБ/с

4200.0

SHOPPING CART

close

Выберите как минимум 2 товара
для сравнения